Samsung ha comunicato l’avvio della produzione di massa dei primi chip eUFS 3.1 da 512 GB che verranno integrati nei futuri smartphone di fascia alta. La versione più recente dello standard UFS (Universal Flash Storage) permette di incrementare notevolmente le prestazioni in scrittura delle memorie flash V-NAND rispetto alle precedenti UFS 3.0 utilizzate dal produttore coreano nella serie Galaxy S20.